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STT-MRAM
STT-MRAMは、スピン注入磁化反転（spin transfer torque：STT）と呼ぶデータ書き換え技術を用いた磁気抵抗変化型メモリー（MRAM）のことである。不揮発性で動作速度が速く、書き換え回数が無制限という、半導体メモリーとして理想的な性能を備える。ただし現時点では、既存メモリーに対するコスト競争力を持てていない。今後、微細化による大容量化を進めるなどしてコスト競争力を高めることができれば、既存メモリーの置き換えが視野に入る。
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